China Serius Garap GaN untuk Kuasai Industri Semikonduktor Global
China semakin agresif dalam pengembangan teknologi semikonduktor, salah satu inovasi terbarunya adalah Gallium Nitride (GaN). Teknologi ini menjadi perbincangan karena menawarkan efisiensi energi yang lebih tinggi dibandingkan dengan silikon konvensional. Dengan dukungan dari pemerintah, China semakin gencar menguasai produksi dan pengembangan untuk berbagai aplikasi.
Apa itu GaN?
Gallium Nitride (GaN) adalah material semikonduktor generasi ketiga dengan keunggulan dalam efisiensi daya dan ketahanan pada suhu tinggi. GaN memiliki bandgap yang lebih besar dibandingkan silikon sehingga mampu bekerja pada tegangan dan daya lebih tinggi dengan efisiensi energi yang lebih baik. Oleh karena itu, GaN banyak digunakan dalam berbagai teknologi, seperti pengisi daya cepat, perangkat komunikasi 5G, dan sistem kemiliteran.
Tujuan Pengembangan GaN oleh China
Investasi dalam pengembangan teknologi GaN merupakan salah satu langkah strategis China untuk memperkuat posisinya di industri semikonduktor. China mengembangkan GaN untuk mengurangi ketergantungan impor dan untuk membangun industri teknologi yang lebih mandiri. Selain itu, pengembangan GaN bertujuan untuk meningkatkan daya saing internasional dengan menghadirkan material yang lebih efisien dan ekonomis. Teknologi ini juga mendukung berbagai sektor strategis, seperti komunikasi, otomotif, dan pertahanan.
Fungsi GaN dalam Industri Teknologi
GaN digunakan di berbagai sektor teknologi karena efisiensinya yang lebih tinggi dibandingkan silikon. Material ini banyak dimanfaatkan dalam pengisi daya cepat, perangkat 45G, dan teknologi lainnya yang membutuhkan kinerja tinggi dengan konsumsi daya yang lebih rendah. Selain itu, GaN juga berperan dalam pengembangan industri kendaraan listrik, sistem pertahanan, dan teknologi luar angkasa, memungkinkan perangkat menjadi lebih efisien, ringan, dan berdaya tinggi.
Hasil Penelitian dan Manfaat GaN
Peneliti dari Peking University dan Beijing Computational Science Research Center menemukan bahwa cacat kristal dalam struktur GaN terjadi melalui mekanisme yang disebut Climbing Dislocation. Dengan menggunakan teknologi Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM), mereka berhasil mengamati gerakan atom dalam kristal GaN secara real-time.
Penelitian terbaru ini membawa terobosan dalam produksi GaN dengan teknik penyesuaian level Fermi dalam kristal GaN. Metode ini mampu mengurangi dislokasi dalam kristal GaN, sehingga meningkatkan kualitas kristal, dan menekan biaya produksi. Penelitian ini menjadi langkah penting bagi China untuk memperkuat daya saing di industri semikonduktor global sekaligus mendorong inovasi teknologi yang lebih canggih dan efisien.
Kesimpulan
China terus berinovasi dalam teknologi GaN untuk memperkuat posisinya di industri semikonduktor global. Dengan efisiensi yang lebih tinggi dibandingkan silikon, GaN digunakan dalam berbagai sektor, mulai dari komunikasi hingga pertahanan. Dukungan pemerintah serta penelitian terbaru, memperkuat China dalam produksi GaN. Inovasi ini tidak hanya meningkatkan kualitas dan efisiensi material, tetapi juga membuka peluang lebih luas bagi China untuk mendominasi pasar teknologi masa depan.
Jelajahi masa depan teknologi bersama Wesclic Indonesia Neotech! Kami menghadirkan solusi inovatif teknologi digital. Kunjungi Wesclic Product untuk layanan terbaik kami, dan ikuti Wesclic Instagram untuk update terbaru seputar teknologi.
